کشور یا منطقه خود را انتخاب کنید.

Close
ورود ثبت نام پست الکترونیک:Info@infinite-electronic.hk
0 Item(s)

ON به MOSFET های SiC اضافه می کند

ON Semiconductor دو SiC MOSFET را برای کاربردهای EVs، solar و UPS معرفی کرده است.

درجه صنعت NTHL080N120SC1 و AEC-Q101 درجه خودرو NVHL080N120SC1 توسط  دیودهای SiC و رانندگان SiC، ابزار شبیه سازی دستگاه، مدل های SPICE و اطلاعات برنامه.

MOSFET های SiC دارای یک ولتاژ نشتی پایین، یک دیود داخلی سریع با شارژ کاهش معکوس پایین است که باعث کاهش سرعت کاهش قدرت می شود و از عملکرد فرکانس بالاتر و تراکم قدرت بیشتر و Eon پایین و Eoff / سریع روشن و خاموش همراه با ولتاژ پایین به جلو برای کاهش تلفات قدرت کل و بنابراین نیازهای خنک کننده.


ظرفیت خازنی دستگاه توانایی تغییر در فرکانس های بسیار بالا را دارد که باعث کاهش مشکلات EMI می شود. در عین حال، افزایش شدید، قابلیت بهمن و قابلیت اطمینان در برابر مدارهای کوتاه، افزایش رضایت کلی را افزایش می دهد، قابلیت اطمینان را بهبود می بخشد و طول عمر عمر طولانی تر را افزایش می دهد.

یکی دیگر از مزایای دستگاه های MOSFET SIC یک ساختار ختم می شود که به قابلیت اطمینان و راندگی اضافه می کند و ثبات عملیاتی را افزایش می دهد.

NVHL080N120SC1 طراحی شده است تا به مقاومت در برابر جریانهای پررنگی بالا برسد و توانایی و توانایی بالا در برابر مدارهای کوتاه را ارائه می دهد.

Qualification AEC-Q101 از MOSFET به همراه سایر دستگاه های SiC ارائه شده، اطمینان می دهد که آنها می توانند به طور کامل در تعداد روزافزون برنامه های کاربردی در خودرو ظاهر شوند که در نتیجه افزایش محتوای الکترونیکی و برق گیری نیروی برق است.

حداکثر دمای عملیاتی 175 درجه سانتیگراد، مناسب بودن برای استفاده در طرح های خودرو و سایر کاربردهای هدف را افزایش می دهد که در آن چگالی و فضای بالا محدودیت های معمولی را تحت فشار قرار می دهد.